中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽（簡稱“國賽”）由科技部、教育部等單位指導、火炬中心等單位承辦，旨在強化企業(yè)科技創(chuàng)新、促進產學研深度融合和科技—產業(yè)—金融良性循環(huán)。大賽已成功舉辦十一屆，聚焦國家戰(zhàn)略和重大需求，突出戰(zhàn)略性新興產業(yè)重點領域，助推關鍵核心技術攻關，并評選出從事高新技術產品研發(fā)、制造、服務等業(yè)務，具有創(chuàng)新能力和高成長潛力的優(yōu)秀企業(yè)。

 本屆國賽（半決賽）將于9月—11月按新材料、高端裝備制造、新一代信息技術、生物醫(yī)藥和新能源、新能源汽車、節(jié)能環(huán)保等產業(yè)領域進行，大賽選拔出的優(yōu)秀企業(yè)將成為資本市場各板塊支持科技創(chuàng)新的重要發(fā)源地。

 萊特葳芯半導體(無錫)有限公司，成立于2022年8月，專注于隔離與非隔離高壓柵極驅動芯片(HVIC or HV Gate Driver)、智能功率模塊(GaN Module、IPM)、智能功率集成電路(SPIC、ALL-GaN IC）等的設計和方案開發(fā)，核心團隊來自于澳門大學、清華大學、中國科學院等機構。

 公司致力于高壓、超高壓柵極驅動芯片與模塊的專用技術研發(fā)，以期為不同類型功率晶體管（GaN、SiC、MOSFET、IGBT等）匹配最佳驅動方案；針對不同的電機、逆變器、電源等應用場景，為客戶量身定制驅動方案和電機控制方案?；谧匝行酒夹g，著力打造高集成度、高可靠性、高能效、高感知能力的智能化驅動芯片，促進相關技術在家電、機器人、工業(yè)自動化、汽車等多領域的應用。

 萊特葳芯團隊掌握國內外多種高性能超高壓BCD工藝與超高壓集成電路設計技術，提出的高壓半隔離驅動技術可降低芯片面積達20-30%，提出的高效dv/dt噪聲濾除技術適用于多數(shù)UHV BCD工藝。團隊具備豐富的工藝開發(fā)與電路設計綜合性技術能力，立足國內功率半導體市場，解決高端功率半導體智能化升級的技術痛點，創(chuàng)新智能功率模塊解決方案，實質性填補國內市場空白，助力國產替代。

 此次入圍全國賽，是對萊特葳芯智能化高壓柵極驅動芯片與功率模塊技術的肯定，充分展現(xiàn)了萊特葳芯在新一代信息技術領域的綜合性技術實力。接下來，萊特葳芯將全力備戰(zhàn)第十二屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽全國賽，爭取再創(chuàng)佳績！